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J-GLOBAL ID:200903034935594534

結晶配向バルクZnO系焼結体材料の製造方法およびそれにより製造された熱電変換デバイス

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 上野 登
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001116407
Publication number (International publication number):2002016297
Application date: Apr. 16, 2001
Publication date: Jan. 18, 2002
Summary:
【要約】【課題】 結晶配向化により高い熱電特性が得られるばかりでなく、その熱電特性のバラツキもなく、しかも環境負荷特性にも優れた結晶配向バルクZnO系焼結体材料の製造方法およびそれにより得られる熱電変換デバイスを提供すること。【解決手段】 結晶配向材料のテンプレートとなる物質である形状異方性を有するZnOまたはその前駆体粉末材料と、このZnOまたはその前駆体粉末材料との反応によって結晶異方性のある導電性酸化物を生成する物質とを混合し、この混合材料を前記異方形状粉末が一方向に配向するように常温下で成形し、この成形物を熱処理することにより合成し、その後に焼結する。
Claim (excerpt):
結晶配向材料のテンプレートとなる物質である形状異方性を有するZnOまたはその前駆体粉末材料と、このZnOまたはその前駆体粉末材料との反応によって結晶異方性のある導電性酸化物を生成する物質とを混合し、この混合材料を前記異方形状粉末が一方向に配向するように常温下で成形し、この成形物を熱処理することにより合成し、その後に焼結するようにした熱電材料の製造方法。
IPC (3):
H01L 35/34 ,  C04B 35/453 ,  H01L 35/32
FI (3):
H01L 35/34 ,  H01L 35/32 ,  C04B 35/00 P
F-Term (11):
4G030AA32 ,  4G030AA34 ,  4G030AA36 ,  4G030BA01 ,  4G030BA02 ,  4G030BA21 ,  4G030CA02 ,  4G030CA07 ,  4G030GA19 ,  4G030GA20 ,  4G030GA21
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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