半導体装置の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山下穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997316931
Publication number (International publication number)：1999150101
Application date： Nov. 18, 1997
Publication date： Jun. 02, 1999
Summary：

【要約】【課題】酸素プラズマにより変質する絶縁膜を一部に使った構造の加工後のフォトレジスト除去を絶縁膜の劣化なく行う。【解決手段】 NxHyガス(x=1,2、y=2〜4)を用いたプラズマによるフォトレジストの除去を行う。

Claim (excerpt)：

酸素プラズマによって変質する絶縁膜を層間膜の一部として含む半導体装置の製造方法において、前記層間膜にスルーホールまたは溝を形成する際のフォトレジスト剥離工程で、フォトレジストの剥離ガスとして、少なくとも、NxHy(x=1,2、y=2〜4)ガスを含むプラズマを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 , G03F 7/42 , H01L 21/027

FI (3)：

H01L 21/302 H , G03F 7/42 , H01L 21/30 572 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

アッシング方法及びその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-182553 Applicant：株式会社東芝
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-277895 Applicant：川崎製鉄株式会社
特開平4-142738

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