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J-GLOBAL ID：200903034962304122

複層半導体ナノ粒子の製造方法及び該方法によって製造された複層半導体ナノ粒子

Inventor：
佐藤 恵一

About 佐藤 恵一

, 
桑畑 進

About 桑畑 進


Applicant, Patent owner：
日立ソフトウエアエンジニアリング株式会社

About 日立ソフトウエアエンジニアリング株式会社


Agent (1)： 平木 祐輔 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002028022
Publication number (International publication number)：2003226521
Application date： Feb. 05, 2002
Publication date： Aug. 12, 2003
Summary：
【要約】【課題】 非常に狭い粒径分布を持ち、波長幅の狭いピークを持つスペクトルを示す複層半導体ナノ粒子の調製を目的とし、単分散半導体ナノ粒子の製造法と複層半導体ナノ粒子の調製法とを結びつける一連の有効な製造法を提供する。【解決手段】 表面安定化剤によって安定化された単分散半導体ナノ粒子溶液の、前記表面安定化剤を置換することにより、親水性と親油性の相互変性を行い、前記安定化された半導体ナノ粒子を水層と有機層に相互移動させ、移動した層から半導体ナノ粒子を回収する分液抽出を行うことを特徴とする複層半導体ナノ粒子の製造方法、及び該方法によって製造された複層半導体ナノ粒子。
Claim (excerpt)：
表面安定化剤によって安定化された単分散半導体ナノ粒子溶液の、前記表面安定化剤を置換することにより、親水性と親油性の相互変性を行い、前記安定化された半導体ナノ粒子を水層と有機層に相互移動させ、移動した層から半導体ナノ粒子を回収する分液抽出を行うことを特徴とする複層半導体ナノ粒子の製造方法。
IPC (2)：
C01G 11/02 ,  C09K 11/56 CPC
FI (2)：
C01G 11/02 ,  C09K 11/56 CPC
F-Term (27)：
4G047BA01 ,  4G047BB05 ,  4G047BC02 ,  4G047BD04 ,  4H001CA02 ,  4H001CC03 ,  4H001CC05 ,  4H001CC06 ,  4H001CC07 ,  4H001CC09 ,  4H001CC12 ,  4H001CC13 ,  4H001XA07 ,  4H001XA08 ,  4H001XA15 ,  4H001XA16 ,  4H001XA22 ,  4H001XA30 ,  4H001XA31 ,  4H001XA33 ,  4H001XA34 ,  4H001XA48 ,  4H001XA49 ,  4H001XA52 ,  4H001XA74 ,  4H001XA80 ,  4H001XA82
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (1)
  • 高発光の色-選択材料
    Gazette classification：公表公報   Application number：特願2000-521557   Applicant：マサチューセッツインスティテュートオブテクノロジー
Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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