光電変換装置およびその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (2)：池内寛幸 (外3名) , 池内寛幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001032716
Publication number (International publication number)：2002237610
Application date： Feb. 08, 2001
Publication date： Aug. 23, 2002
Summary：

【要約】【課題】透明導電膜の形状や光学特性を改善し、結晶質シリコン系光電変換ユニットを用いた光電変換装置の光電変換効率を向上させる。【解決手段】透明基板と、この透明基板上に形成された透明導電膜と、この透明導電膜上に形成された少なくとも一つの光電変換ユニットとを有する光電変換装置であって、上記透明導電膜の表面に、直径に対する高さの比率(高さ/直径比)が0.8以下である凸部を有する凹凸形状を形成し、上記透明導電膜を形成した状態で測定した上記透明基板のヘイズ率を6.5%以下とする。また、上記光電変換ユニットとして、少なくとも、結晶質シリコン系薄膜を光電変換層とする結晶質シリコン系光電変換ユニットを形成する。

Claim (excerpt)：

透明基板と、前記透明基板上に形成された透明導電膜と、前記透明導電膜上に形成された少なくとも一つの光電変換ユニットとを有する光電変換装置であって、前記透明導電膜の表面に、直径に対する高さの比率が0.8以下である凸部を有する凹凸形状が形成され、前記透明導電膜を形成した状態で測定した前記透明基板のヘイズ率が6.5%以下であり、前記光電変換ユニットとして、結晶質シリコン系薄膜を光電変換層とする結晶質シリコン系光電変換ユニットを含むことを特徴とする光電変換装置。

FI (3)：

H01L 31/04 M , H01L 31/04 W , H01L 31/04 H

F-Term (15)：

5F051AA04 , 5F051AA05 , 5F051CB12 , 5F051CB29 , 5F051CB30 , 5F051DA04 , 5F051DA17 , 5F051FA03 , 5F051FA04 , 5F051FA06 , 5F051FA15 , 5F051FA18 , 5F051FA19 , 5F051FA23 , 5F051GA03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特表平2-503615
特開昭60-175465
光電変換素子用透明電極基板及びその加工方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-182216 Applicant：三菱重工業株式会社

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