Pat
J-GLOBAL ID：200903035000426044
炭化珪素単結晶インゴット及びその製造方法並びに炭化珪素単結晶育成用種結晶の装着方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
八田 幹雄 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001107302
Publication number (International publication number)：2002308697
Application date： Apr. 05, 2001
Publication date： Oct. 23, 2002
Summary：
【要約】【課題】 線状ボイド欠陥の少ない良質の大口径インゴットと、それを再現性良く製造し得るSiC単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】 種結晶を用いた昇華再結晶法により炭化珪素単結晶を成長させる際に、種結晶裏面及び種結晶が装着される坩堝蓋部表面を平坦化処理し、両者を物理的に密着させることにより種結晶を装着し、高品質な炭化珪素単結晶インゴットを得る。
Claim (excerpt)：
昇華再結晶法により種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させる工程を包含する炭化珪素単結晶インゴットの製造方法であって、前記種結晶裏面及び前記種結晶が装着される坩堝蓋部表面を平坦化処理し、両者を物理的に密着させることにより前記種結晶を装着することを特徴とする炭化珪素単結晶インゴットの製造方法。
F-Term (5)：
4G077AA02
, 4G077BE08
, 4G077DA18
, 4G077EG11
, 4G077TF02
Cited by applicant (2)
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II-VI族化合物半導体結晶の成長方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平9-319931
Applicant：住友電気工業株式会社
-
SiC単結晶およびその成長方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平11-364593
Applicant：株式会社シクスオン, 関西電力株式会社, 三菱商事株式会社, 住友電気工業株式会社
Cited by examiner (2)
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II-VI族化合物半導体結晶の成長方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平9-319931
Applicant：住友電気工業株式会社
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SiC単結晶およびその成長方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平11-364593
Applicant：株式会社シクスオン, 関西電力株式会社, 三菱商事株式会社, 住友電気工業株式会社
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