炭化珪素半導体装置及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：恩田博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997259076
Publication number (International publication number)：1998308510
Application date： Sep. 24, 1997
Publication date： Nov. 17, 1998
Summary：

【要約】【課題】チャネル移動度を向上させてオン抵抗を向上することができる炭化珪素半導体装置を提供する。【解決手段】n+ 型炭化珪素半導体基板1の主表面上にはn- 型炭化珪素エピ層2が形成され、n- 型炭化珪素エピ層2の表層部の所定領域において所定深さを有するp型炭化珪素ベース領域3a,3bが形成され、ベース領域3a,3bの表層部の所定領域にn+ 型ソース領域4a,4bが形成されている。ベース領域3a,3bの表層部においてソース領域4a,4bとn- 型炭化珪素エピ層2とを繋ぐように表面チャネルエピ層5が配置されている。表面チャネルエピ層5の表面にはゲート絶縁膜7を介してゲート電極8が形成されている。ベース領域3a,3bおよびソース領域4a,4bに接触するようにソース電極10が、基板1の裏面にドレイン電極11が形成されている。

Claim (excerpt)：

主表面および主表面の反対面である裏面を有し、単結晶炭化珪素よりなる第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板の主表面上に形成され、前記半導体基板よりも低いドーパント濃度を有する第1導電型の炭化珪素エピタキシャル層と、前記炭化珪素エピタキシャル層の表層部の所定領域に形成され、所定深さを有する第2導電型のベース領域と、前記ベース領域の表層部の所定領域に形成され、該ベース領域の深さよりも浅い第1導電型のソース領域と、前記ベース領域の表面部において前記ソース領域と前記第1導電型の炭化珪素エピタキシャル層とを繋ぐように配置され、炭化珪素よりなる第1導電型の表面チャネル層と、前記表面チャネル層の表面に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極と、前記ベース領域およびソース領域に接触するように形成されたソース電極と、前記半導体基板の裏面に形成されたドレイン電極とを備えたことを特徴とする炭化珪素半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (4)：

H01L 29/78 652 T , H01L 29/78 652 J , H01L 29/78 652 E , H01L 29/78 658 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

絶縁ゲート型半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-106589 Applicant：富士電機株式会社
電界効果トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-216930 Applicant：株式会社日立製作所
特開平3-054868

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