窒化ガリウム結晶を有する積層体およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：釜田淳爾 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999067861
Publication number (International publication number)：2000269605
Application date： Mar. 15, 1999
Publication date： Sep. 29, 2000
Summary：

【要約】【課題】残留応力が十分に小さくて、大面積への成長を行っても窒化ガリウム結晶層のクラックや剥離が生じることがない安価な積層体、およびその製造方法を提供すること。【解決手段】ガラス基板上に高配向性結晶からなる中間層を有し、該中間層の上に高配向性の窒化ガリウム結晶からなる層を有する積層体;および、ガラス基板上に高配向性結晶からなる中間層を形成し、該中間層の上に窒化ガリウム結晶からなる層を形成することを特徴とする、高配向性の窒化ガリウム結晶を有する積層体の製造方法。

Claim (excerpt)：

ガラス基板上に高配向性結晶からなる中間層を有し、該中間層の上に高配向性の窒化ガリウム結晶からなる層を有する積層体。

IPC (8)：

H01S 5/323 , C30B 29/38 , H01L 21/20 , H01L 21/203 , H01L 21/205 , H01L 31/10 , H01L 33/00 , H01S 5/327

FI (8)：

H01S 3/18 673 , C30B 29/38 D , H01L 21/20 , H01L 21/203 M , H01L 21/205 , H01L 33/00 C , H01L 31/10 A , H01S 3/18 674

F-Term (67)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077AB02 , 4G077BB07 , 4G077BE02 , 4G077BE22 , 4G077DA05 , 4G077DA11 , 4G077ED06 , 4G077EF01 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 5F041AA40 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA41 , 5F041CA65 , 5F041CA66 , 5F041CA67 , 5F041FF14 , 5F041FF16 , 5F045AA04 , 5F045AA19 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB22 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD09 , 5F045AD12 , 5F045AF07 , 5F045BB08 , 5F045BB13 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DA61 , 5F049MA03 , 5F049MA04 , 5F049MB01 , 5F049MB07 , 5F049NA01 , 5F049NA08 , 5F049NA18 , 5F049PA01 , 5F049PA04 , 5F049PA07 , 5F049SS01 , 5F052KA02 , 5F073BA02 , 5F073CA02 , 5F073CA07 , 5F073CA22 , 5F073CB05 , 5F073DA05 , 5F073DA06 , 5F073DA07 , 5F073EA28 , 5F103AA04 , 5F103AA08 , 5F103DD30 , 5F103GG10 , 5F103HH04 , 5F103LL02 , 5F103LL03 , 5F103RR06 , 5F103RR08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

化合物半導体基板および半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-344673 Applicant：株式会社リコー
特開昭57-010280
半導体発光素子、およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-343057 Applicant：株式会社村田製作所

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