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J-GLOBAL ID：200903035327895919

半導体発光素子、およびその製造方法

Inventor： 名西 ▲やす▼之 ,  門田 道雄
Applicant, Patent owner： 株式会社村田製作所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998343057
Publication number (International publication number)：1999243229
Application date： Dec. 02, 1998
Publication date： Sep. 07, 1999
Summary：

【要約】【課題】 高価な下地基板を用いることなくGaN層を成長させることができ、かつ、より低温でGaN層を成長させ、基板とGaNとの熱膨張係数の差による影響を受けにくい半導体発光素子、およびその製造方法を提供する【解決手段】 ガラス基板またはシリコン基板上に、ECR-MBE法によって、GaN層を形成する。

Claim (excerpt)：

ガラス基板またはシリコン基板上に、ECR-MBE法によって、GaN層が形成されていることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205

FI (3)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 特開昭57-010280
  
• 発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-087062   Applicant：旭化成工業株式会社
• 化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-273392   Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (3)

• 特開昭57-010280
  
• 発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-087062   Applicant：旭化成工業株式会社
• 化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-273392   Applicant：株式会社東芝