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J-GLOBAL ID：200903035091635678

半導体シリコンウェーハの製造方法

Inventor： 桝村 寿 ,  中野 正己 ,  鈴木 清
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 石原 詔二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994228596
Publication number (International publication number)：1996070009
Application date： Aug. 30, 1994
Publication date： Mar. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】 比較的弱い局部的な残留歪みである潜傷を簡単に消去することのできる半導体シリコンウェーハの製造方法を提供する。【構成】 鏡面研磨加工しついで洗浄した後の半導体シリコンウェーハを400〜1200°Cで1〜30分間熱処理する。

Claim (excerpt)：

鏡面研磨加工しついで洗浄した後の半導体シリコンウェーハを400〜1200°Cで1〜30分間熱処理することを特徴とする半導体シリコンウェーハの製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/324 ,  H01L 21/304 341

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-064238
  
• 半導体基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-215700   Applicant：日本電気株式会社
• 特開平4-354136