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J-GLOBAL ID：200903035215532406

サファイア基板の分割方法及び分割装置

Inventor： 三澤 弘明 ,  小山 悦雄
Applicant, Patent owner： 三澤 弘明 ,  テクダイヤ株式会社
Agent (3)： 小島 高城郎 ,  河合 典子 ,  佐藤 卓也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003059317
Publication number (International publication number)：2004268309
Application date： Mar. 06, 2003
Publication date： Sep. 30, 2004
Summary：

【課題】高い歩留まりかつ低コストにてサファイア基板を効率的に分割する方法及び装置を提供する。【解決手段】サファイア基板10の第1面10aに対しスクライブ溝11を形成する第1のステップと、形成されたスクライブ溝11に対応する位置11’にてサファイア基板10の第1面10a側又は第2面10b側からレーザ光32を照射する第2のステップとを含み、レーザ光32の波長が、サファイア基板が2光子吸収を含む多光子吸収を生じ得る波長であり、レーザ光32の照射エネルギーが、サファイア基板10のブレークダウンエネルギーであることを特徴とする。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

サファイア基板の第1面に対しスクライブ溝を形成する第1のステップと、形成された前記スクライブ溝に対応する位置にて前記サファイア基板の前記第1面側若しくは第2面側からレーザ光を照射する第2のステップとを含み、 前記レーザ光の波長が、前記サファイア基板が2光子吸収を含む多光子吸収を生じ得る波長であることを特徴とするサファイア基板の分割方法。

IPC (6)：

B28D5/00 ,  B23K26/00 ,  C03B33/09 ,  C30B29/20 ,  C30B33/00 ,  H01L21/301

FI (6)：

B28D5/00 Z ,  B23K26/00 320E ,  C03B33/09 ,  C30B29/20 ,  C30B33/00 ,  H01L21/78 B

F-Term (22)：

3C069AA01 ,  3C069AA03 ,  3C069BB01 ,  3C069BB04 ,  3C069CA05 ,  3C069CA06 ,  3C069EA02 ,  3C069EA04 ,  4E068AA01 ,  4E068AE01 ,  4E068CA01 ,  4E068CA02 ,  4E068CA07 ,  4E068CA11 ,  4E068CD05 ,  4E068DA09 ,  4G015FA01 ,  4G015FA06 ,  4G015FB01 ,  4G015FC14 ,  4G077BB01 ,  4G077FG13

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 窒化物系半導体素子及び製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-201628   Applicant：松下電器産業株式会社