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J-GLOBAL ID：200903044394506322

窒化物系半導体素子及び製造方法

Inventor： 石橋 明彦 ,  川口 靖利 ,  大塚 信之
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001201628
Publication number (International publication number)：2003017790
Application date： Jul. 03, 2001
Publication date： Jan. 17, 2003
Summary：

【要約】【課題】 AlGaInN系結晶基板において断面の平坦性に優れた分離溝を形成し、再現性が高くかつ高歩留まりなレーザ光共振器作製方法を提供する。【解決手段】 サファイア基板上に作製したAlGaInN系レーザウエハにおいて、パルスレーザビームを基板裏面から照射した後、表面のレーザ共振器部分を除くAlGaInN系結晶部に照射して分離溝を形成する。この後、前記分離溝に添って力を加え基板をレーザバーに分離する。この方法によりレーザ結晶部にダメージを与えることなく極めて平坦性が高く反射ロスのほとんど無い共振器面が実現でき、かつ再現性が高く高歩留まりな作製が可能となる。

Claim (excerpt)：

基板上に構成されたAlxGayInzN(x+y+z=1)系結晶の結晶部及び基板部の内少なくともいずれかにパルスレーザビーム光を照射することにより分離溝を形成する工程を有することを特徴とするAlGaInN系半導体素子の製造方法。

IPC (5)：

H01S 5/02 ,  B23K 26/00 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610 ,  B23K101:40

FI (5)：

H01S 5/02 ,  B23K 26/00 H ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610 ,  B23K101:40

F-Term (10)：

4E068AD00 ,  4E068CA03 ,  4E068DA10 ,  5F041AA41 ,  5F041CA40 ,  5F041CA76 ,  5F073CA17 ,  5F073CB05 ,  5F073DA31 ,  5F073DA34

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体レーザの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-209940   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特開平4-262589
  
• レーザ割断方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-172163   Applicant：日本碍子株式会社
• 窒化物半導体チップの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-256483   Applicant：シャープ株式会社