Pat
J-GLOBAL ID：200903035216948398
電子部品組立体
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994216853
Publication number (International publication number)：1996083818
Application date： Sep. 12, 1994
Publication date： Mar. 26, 1996
Summary：
【要約】【目的】フリップチップ実装において、熱膨張係数差によるバンプ歪応用力を低減すると共に、LSIの放熱効果を高める。【構成】LSI1の回路配線面1aに、キャリア基板3(熱膨張係数がLS11との中間の値をもち、高熱伝導率性の材料)が熱伝導性接着剤2で固定されている。キャリア基板3の下部面及び、外周部にはリード5を施したポリイミドテープ層4が設れており、Auバンプ7付きのリード5を、ポリイミドテープ4の内部及び、外周部からLSI電極6aに交互に接続されている。また、ポリイミドテープ4には、格子状の電極パッド6bと半田バンプ9が設けられており全て、スルーホール8、リード配線5、Auバンプ7、LSI電極6aを介して電気的にLSI1接続されている。なお、LSI1及びリード5を保護する目的で、ポッティング樹脂10で覆われている。
Claim (excerpt)：
電極を有する半導体チップと、回路基板に電気的に接続されるバンプと、このバンプおよび前記半導体チップの間に、前記半導体チップの熱膨張係数と前記回路基板の熱膨張係数との中間の熱膨張係数を有しかつ高熱伝導率を有する材料で形成されるキャリア基板と、このキャリア基板および前記半導体チップを接着する熱伝導性接着剤とを含むことを特徴とする電子部品組立体。
IPC (3)：
H01L 21/60 311
, H01L 21/60 301
, H01L 23/12
H01L 23/12 Q
, H01L 23/12 L
Cited by examiner (9)
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