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J-GLOBAL ID：200903035288068511

II-VI 族化合物半導体基板およびその製造法

Inventor： 西野 勇 ,  大高 修司 ,  佐川 徹 ,  佐々木 茂 ,  永田 長寿
Applicant, Patent owner： 同和鉱業株式会社
Agent (1)： 丸岡 政彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995146798
Publication number (International publication number)：1996316249
Application date： May. 22, 1995
Publication date： Nov. 29, 1996
Summary：

【要約】【目的】 従来法における溶融亜鉛処理用容器の密封に代わり、亜鉛の蒸発を防止しながら低抵抗な特性を有するII-VI 族化合半導体基板およびその製造法の提供。【構成】 単結晶から切り出したZnSe単結晶基板2を、スライドボード1に組み込まれたスライダー8に設けられたメルト槽4底部のキャビティ3にセットし、この基板上に高純度亜鉛5を、さらにその上に液体封止剤6としてB2 O3を入れ蓋7をした後、このスライドボードを横型管状炉で800°Cに昇温後、この温度で60時間保持して溶融亜鉛処理する。その後徐冷してZnSe基板を取り出す。

Claim (excerpt)：

抵抗率2Ωcm以下、キャリア密度2×1016cm-3以下の特性を有することを特徴とするII-VI 族化合物半導体基板。

IPC (3)：

H01L 21/368 ,  H01L 21/208 ,  H01L 33/00

FI (3)：

H01L 21/368 ,  H01L 21/208 S ,  H01L 33/00 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 特開昭62-271438
  
• 特開昭60-090897
  
• 低抵抗ZnSe単結晶基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-287526   Applicant：住友電気工業株式会社
• 特開平2-129098
  
• 特開昭62-271438
  
• 特開昭60-090897
  
• 特開平2-129098