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J-GLOBAL ID:200903035311648385
シランカップリング剤を用いた基板処理方法及び基板処理装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
高月 亨
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993189013
Publication number (International publication number):1995142311
Application date: Jun. 30, 1993
Publication date: Jun. 02, 1995
Summary:
【要約】【目的】 シランカップリング剤により基板処理を行う場合に、最適条件で処理を行え、シランカップリング剤の余分な付着などの問題を生じないようにした基板処理方法及び基板処理装置を提供する。【構成】 少なくともSiを含む疎水性表面をもつ基板をシランカップリング剤で処理する際、シランカップリング剤の濃度(HMDSガス濃度)I及び/または処理により発生する反応生成ガスの濃度(NH3 ガス濃度)IIを検出することによって、処理終点P1 ,P2 を検出する基板処理方法及び基板処理装置。
Claim (excerpt):
少なくともSiを含む疎水性表面をもつ基板をシランカップリング剤で処理する基板処理方法において、シランカップリング剤の濃度を検出することによって、処理終点を検出することを特徴とする基板処理方法。
IPC (3):
H01L 21/02
, C07F 7/10
, G03F 7/16 501
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
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処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-309811
Applicant:東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
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処理方法及びその装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-302998
Applicant:東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
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