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J-GLOBAL ID：200903035326989189

窒化物半導体発光素子

Inventor：
中村 修二

About 中村 修二


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998330858
Publication number (International publication number)：1999220174
Application date： Dec. 06, 1995
Publication date： Aug. 10, 1999
Summary：
【要約】【目的】 静電耐圧が大きい窒化物半導体発光素子を実現して、窒化物半導体発光素子の信頼性を向上させる。【構成】 単一量子井戸もしくは多重量子井戸構造を有する活性層と、n型クラッド層との間に、インジウムを含むn型の窒化物半導体よりなる第二のn型クラッド層を有し、さらに前記活性層と、p型クラッド層との間に、少なくともインジウムを含むp型の窒化物半導体、またはp型のGaNよりなる第二のp型クラッド層が形成されている。
Claim (excerpt)：
単一量子井戸もしくは多重量子井戸構造を有する活性層と、n型クラッド層との間に、インジウムを含むn型の窒化物半導体よりなる第二のn型クラッド層を有し、さらに前記活性層と、p型クラッド層との間に、少なくともインジウムを含むp型の窒化物半導体、またはp型のGaNよりなる第二のp型クラッド層が形成されていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01S 3/18 673
FI (2)：
H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 673
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 半導体発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-203084   Applicant：日本電信電話株式会社
Cited by examiner (1)
  • 半導体発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-203084   Applicant：日本電信電話株式会社

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