半導体発光素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高山敏夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992203084
Publication number (International publication number)：1994021511
Application date： Jul. 06, 1992
Publication date： Jan. 28, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】従来の発光素子に対し、すぐれた特性を有し、発光波長を200〜600nmの範囲で変化しうる発光素子を提供すること。【構成】発光層63中に層を少なくとも一層含む半導体発光素子において、発光層63と成長基板61との間に層62を設けたことを特徴とする半導体発光素子。

Claim (excerpt)：

発光層中に【化1】層を少なくとも一層含む半導体発光素子において、発光層と成長基板との間に【化2】層を設けたことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

特開平3-203388
特開平4-068579
半導体発光素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-147704 Applicant：シャープ株式会社

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Cited by examiner (6)

半導体発光素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-147704 Applicant：シャープ株式会社
特開平3-203388
窒化ガリウム系半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-335255 Applicant：天野浩, 赤崎勇, パイオニア株式会社, 豊田合成株式会社

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