樹脂封止型半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995025166
Publication number (International publication number)：1996222681
Application date： Feb. 14, 1995
Publication date： Aug. 30, 1996
Summary：

【要約】【目的】この発明は、平面的・空間的な実装密度を向上させるとともに、リード相互間のピッチを小さくしても、リード曲りの発生を防止する。【構成】半導体チップ11の上に絶縁テ-プ12を介してインナーリード13を接着し、インナーリード13の先端13a を、ボンディングワイヤ14により半導体チップ11の上面に設けられた電極パッド15と接続し、半導体チップ11、絶縁テ-プ12、ボンディングワイヤ14及びインナーリード13を封止樹脂16によりモ-ルドする。インナーリード13はアウターリード17とつながっており、アウターリード17の第1、第2の面17a,17b をパッケージ16の上面16a 、側面16b において露出させ、この上面16a と第1の面17a とをほぼ同一の面となるように構成し、この側面16bと第2の面17b とをほぼ同一の面となるように構成する。従って、平面的・空間的な実装密度を向上させるとともに、リード曲りの発生を防止できる。

Claim (excerpt)：

半導体素子と、前記半導体素子の上に絶縁テープを介して接着され、前記半導体素子と電気的に接続されたインナーリードと、前記インナーリード、前記絶縁テープ及び前記半導体素子を封止するパッケージと、前記パッケージの上面に露出した面を有し、この面が前記パッケージ上面と同一の面に位置しており、前記インナーリードとつなげられ且つ前記インナーリードの厚さより厚く形成されたアウターリードと、を具備することを特徴とする樹脂封止型半導体装置。

IPC (3)：

H01L 23/50 , H01L 23/12 , H01L 23/28

FI (3)：

H01L 23/50 R , H01L 23/28 A , H01L 23/12 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-281951 Applicant：富士通株式会社

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