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J-GLOBAL ID:200903035369576422

導電性高分子の製造方法、導電性高分子、導電性高分子成形品及び積層体並びに導電性高分子成形品及び積層体を用いた装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 宮崎 伊章
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003343075
Publication number (International publication number):2004162035
Application date: Oct. 01, 2003
Publication date: Jun. 10, 2004
Summary:
【課題】 本発明の目的は、伸縮率がより大きく、しかも発生力がより大きいアクチュエータを提供することが可能な導電性高分子を提供することである。【解決手段】 電気化学的酸化還元による伸縮性を有する導電性高分子を、電解重合法により製造する導電性高分子の製造方法であって、前記電解重合法が、トリフルオロメタンスルホン酸イオン及び/または中心原子に対してフッ素原子を複数含むアニオンを含む電解液を用い、導電性高分子が形成される作用電極として金属電極を用いる電解重合法であることを特徴とする導電性高分子の製造方法を用いる。【選択図】 なし
Claim (excerpt):
電気化学的酸化還元による伸縮性を有する導電性高分子を、電解重合法により製造する導電性高分子の製造方法であって、前記電解重合法が、トリフルオロメタンスルホン酸イオン及び/または中心原子に対してフッ素原子を複数含むアニオンを含む電解液を用い、導電性高分子が形成される作用電極として金属電極を用いる電解重合法であることを特徴とする導電性高分子の製造方法。
IPC (2):
C08G61/12 ,  C08L65/00
FI (2):
C08G61/12 ,  C08L65/00
F-Term (20):
4C060EE28 ,  4C060FF13 ,  4C060GG03 ,  4C060GG13 ,  4C069AC04 ,  4J002CE001 ,  4J002CM021 ,  4J002GB01 ,  4J002GM00 ,  4J002GQ02 ,  4J032BA13 ,  4J032BA14 ,  4J032BB01 ,  4J032BB08 ,  4J032BC22 ,  4J032BC25 ,  4J032BC29 ,  4J032BC32 ,  4J032CG01 ,  4J032CG07
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (7)
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Cited by examiner (7)
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