電界効果型化合物半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高橋敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994048875
Publication number (International publication number)：1995263663
Application date： Mar. 18, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】【目的】 III-V族化合物半導体を用い、ショットキゲート電極を有する電界効果型半導体装置に関し、電流が流れ難いショットキ電極を有するIII-V族化合物半導体装置を提供することを目的とする。【構成】半導体基板(1)と、前記半導体基板上に形成され、キャリアが走行する能動層を含む複数のIII-V族化合物半導体結晶層(2、3、4、5)と、前記III-V族化合物半導体結晶層表面の少なくとも一部上に形成されたInAlP層(6)と、前記InAlP層上に形成され、ショットキ接触を形成するゲート電極(9)と、前記ゲート電極を挟んで配置され、前記能動層にオーミック接触を形成する1対のソース/ドレイン電極(8a、8b)とを有する。

Claim (excerpt)：

半導体基板(1)と、前記半導体基板上に形成され、キャリアが走行する能動層を含む複数のIII-V族化合物半導体結晶層(2、3、4、5)と、前記III-V族化合物半導体結晶層表面の少なくとも一部上に形成されたInAlP層(6)と、前記InAlP層上に形成され、ショットキ接触を形成するゲート電極(9)と、前記ゲート電極を挟んで配置され、前記能動層にオーミック接触を形成する1対のソース/ドレイン電極(8a、8b)とを有する電界効果型化合物半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開昭55-095370
ヘテロ接合電界効果トランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-329007 Applicant：株式会社東芝
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-111887 Applicant：住友電気工業株式会社

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