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J-GLOBAL ID：200903035451393387

封止剤、半導体等の封止方法、半導体装置の製造方法、および半導体装置

Inventor： 大内 克哉 ,  岡本 敏彦 ,  坂本 晴美
Applicant, Patent owner： 鐘淵化学工業株式会社
Agent (1)： 安富 康男 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000394823
Publication number (International publication number)：2002194215
Application date： Dec. 26, 2000
Publication date： Jul. 10, 2002
Summary：

【要約】【課題】 低吸湿性であって信頼性が高く、低粘度、速硬化性であり実用性の高く、かつ低誘電率、低誘電正接であって高周波特性に優れた封止剤を提供すること。また、高信頼性、高実用性、高周波数特性を有する電子部品、電気回路、電気接点あるいは半導体の封止方法、および、半導体装置の製造方法を提供すること。さらに、高信頼性、高実用性、高周波数特性を有する半導体装置を提供すること。【解決手段】 SiH基と反応性を有する炭素-炭素二重結合を1分子中に少なくとも2個含有する有機化合物、(B)1分子中に少なくとも2個のSiH基を含有するケイ素化合物、および(C)ヒドロシリル化触媒、を必須成分として含有する封止剤。

Claim (excerpt)：

(A)SiH基と反応性を有する炭素-炭素二重結合を1分子中に少なくとも2個含有する有機化合物、(B)1分子中に少なくとも2個のSiH基を含有するケイ素化合物、および(C)ヒドロシリル化触媒、を必須成分として含有することを特徴とする封止剤。

IPC (4)：

C08L 83/05 ,  C09K 3/10 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (4)：

C08L 83/05 ,  C09K 3/10 G ,  C09K 3/10 Z ,  H01L 23/30 R

F-Term (17)：

4H017AA04 ,  4H017AB16 ,  4H017AC19 ,  4H017AD06 ,  4H017AE05 ,  4J002CP04X ,  4J002GQ05 ,  4M109AA01 ,  4M109CA04 ,  4M109CA07 ,  4M109CA12 ,  4M109CA21 ,  4M109CA26 ,  4M109EA20 ,  4M109EC01 ,  4M109EC05 ,  4M109EC20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 硬化性組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-138453   Applicant：鐘淵化学工業株式会社
• 電気・電子部品材料用組成物、および電気・電子部品材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-356457   Applicant：鐘淵化学工業株式会社
• 封止材料用硬化性組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-319220   Applicant：鐘淵化学工業株式会社
• 電気・電子部品封止・充填用シリコーンゲル組成物およびシリコーンゲル
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-031143   Applicant：東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社