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J-GLOBAL ID：200903035457060398

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 池田 龍彦 ,  庭野 和人
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993316769
Publication number (International publication number)：1995169867
Application date： Dec. 16, 1993
Publication date： Jul. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】 高速動作が可能な、バイポーラトランジスタと電界効果トランジスタとを含む半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】 外部ベース層14a,14bの接合深さと真性ベース層15の接合深さとを、PチャネルMOSトランジスタのソース/ドレイン領域13a,13bの接合深さよりも浅くなるように形成する。

Claim (excerpt)：

電界効果トランジスタとバイポーラトランジスタとを備えた半導体装置であって、前記電界効果トランジスタは、主表面を有する半導体層と、前記半導体層の主表面上にチャネル領域を挟むように所定の間隔を隔てて形成された第1の接合深さを有する第1導電型の1対のソース/ドレイン領域と、前記チャネル領域上に形成されたゲート電極とを含み、前記バイポーラトランジスタは、主表面を有する第2導電型のコレクタ層と、前記コレクタ層の主表面上の所定領域に形成され、前記第1の接合深さよりも浅い第2の接合深さを有する第1導電型の外部ベース層と、前記コレクタ層の主表面上に前記外部ベース層と連続するように形成され、前記第1の接合深さよりも浅い第3の接合深さを有する第1導電型の真性ベース層と、前記真性ベース層の主表面上に形成された第2導電型のエミッタ層とを含む、半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/8249 ,  H01L 27/06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-124833
  
• 半導体集積回路装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-227634   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開平4-276653