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J-GLOBAL ID：200903035488844052

プラズマ処理装置

Inventor： 浜 貴一 ,  本郷 俊明 ,  栗木 康幸
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 亀谷 美明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996297143
Publication number (International publication number)：1998074736
Application date： Oct. 17, 1996
Publication date： Mar. 17, 1998
Summary：

【要約】【課題】 高周波誘導結合プラズマ装置のプラズマの高密度化を図る。【解決手段】 本発明によれば、高周波アンテナ120に高周波電力を印加することにより処理室102a内に誘導プラズマを励起して、処理室102a内の被処理体Lに対して所定のプラズマ処理を施すように構成されたプラズマ処理装置100は、導電性材料から成り接地された処理室102の内壁に接して誘電体118を設け、その誘電体118の内部に高周波アンテナ120を埋設している。そのため、大気圧と処理室内との圧力差にかかわらず、誘電体の肉厚を薄く構成することができるので、高周波アンテナに印加される高周波エネルギーの有効利用が図れる。

Claim (excerpt)：

高周波アンテナに高周波電力を印加することにより処理室内に誘導プラズマを励起して、前記処理室内の被処理体に対して所定のプラズマ処理を施すように構成されたプラズマ処理装置において、導電性材料から成り接地された前記処理室の内壁に接して誘電体を設け、その誘電体の内部に前記高周波アンテナを埋設したことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (6)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 ,  H01L 21/203

FI (6)：

H01L 21/302 C ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 B ,  H01L 21/203 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• プラズマ処理箱内に誘導的に結合されたプラズマ発生源を組み入れるための構造並びに方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-166511   Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド