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J-GLOBAL ID：200903049477114908

プラズマ処理箱内に誘導的に結合されたプラズマ発生源を組み入れるための構造並びに方法

Inventor： アジット パランジプ ,  セシル ジェイ.デービス ,  ロバート ティー.マシューズ
Applicant, Patent owner： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995166511
Publication number (International publication number)：1996195297
Application date： Jun. 30, 1995
Publication date： Jul. 30, 1996
Summary：

【要約】【目的】 均質なイオン流を作りだし、汎用のプラズマ処理箱に組み込むことのできる誘導的に結合されたRFプラズマ発生源の構造並びに組込み方法を提供する。【構成】 アンテナ14をエポキシ16の中に封入し、それをプラズマ形成領域30から溶接密封する形で格納容器18の中に設置する。アンテナ14には少なくとも一つのRF電源装置40からRF整合ネットワーク42を通して電力が供給される。絶縁覆い板28を格納容器18とプラズマ形成領域30との間に配置して、均質なプラズマ密度が得られるようにする。

Claim (excerpt)：

プラズマ処理構造であって:処理箱と;前記処理箱の中に設置され溶接密封された封入アンテナを含む誘導的に結合されたプラズマ発生源とを含むプラズマ処理構造。

IPC (5)：

H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• エッチングあるいはコーティング装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-165369   Applicant：バルツェルスアクチェンゲゼルシャフト
• 特開平3-262119
  
• 特開平1-184923
  
• 電磁RF結合を用いたプラズマ反応装置及びその方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-340841   Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-208008   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• 特開平3-262119
  
• 特開平1-184923