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J-GLOBAL ID：200903035594528917

半導体レーザ素子及びその設計方法

Inventor： 後藤 壮謙 ,  林 伸彦 ,  三宅 輝明 ,  松本 光晴 ,  松川 健一 ,  井手 大輔 ,  古沢 浩太郎 ,  茨木 晃 ,  吉年 慶一 ,  國里 竜也
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 福島 祥人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995062265
Publication number (International publication number)：1996018160
Application date： Mar. 22, 1995
Publication date： Jan. 19, 1996
Summary：

【要約】【目的】 安定な自励発振が可能な半導体レーザ素子とその設計方法を提供することを目的とし、更には、自励発振と高出力発振が可能な発振が行える半導体レーザ素子とその設計方法を提供することを目的とする。【構成】 n型クラッド層3と、このクラッド層3上に形成された活性層4と、この活性層4上に形成されたp型クラッド層8と、このp型クラッド層8中に設けられたp型飽和光吸収層6を備え、活性層4へ注入される注入電流を狭窄するための電流狭窄幅がWである半導体レーザ素子において、活性層4の層厚da 、活性層4の光閉じ込め係数Γa 、可飽和光吸収層6の層厚ds 、可飽和光吸収層6の光閉じ込め係数Γs 及び半導体レーザ素子の端面での光スポット長Sを所定の関係を満たすように設定する。光出射端面の反射率は10〜20%の範囲内に設定する。

Claim (excerpt)：

第1導電型のクラッド層と、該第1導電型のクラッド層上に形成された活性層と、該活性層上に形成された第2導電型のクラッド層と、両クラッド層の少なくとも一方の層中に設けられた可飽和光吸収層とを備え、上記活性層へ注入される注入電流を狭窄するための電流狭窄幅がWである半導体レーザ素子において、安定な自励発振が得られるように、上記活性層の層厚da 、該活性層の光閉じ込め係数Γa 、上記可飽和光吸収層の層厚ds 、該可飽和光吸収層の光閉じ込め係数Γs 、電流狭窄幅Wおよび上記半導体レーザ素子の端面での光スポット長Sを設定したことを特徴とする半導体レーザ素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 特開昭63-202083
  
• 特開平3-094490
  
• 半導体レーザ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-328522   Applicant：松下電子工業株式会社
• 特開平3-120887
  

Cited by examiner (7)

• 特開昭63-202083
  
• 特開平3-094490
  
• 半導体レーザ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-328522   Applicant：松下電子工業株式会社
• 特開平3-120887
  
• 特開昭63-202083
  
• 特開平3-094490
  
• 特開平3-120887