プラズマCVD法及び装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：谷川昌夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996215581
Publication number (International publication number)：1997137273
Application date： Aug. 15, 1996
Publication date： May. 27, 1997
Summary：

【要約】【課題】成膜用原料ガスを電力印加によりプラズマ化し、このプラズマのもとで被成膜物品上に膜形成するプラズマCVD法及び装置であって、膜形成を従来方法及び装置によるより低温で行うことができ、しかも、物品に対する密着性良好な膜を得ることができるプラズマCVD法及び装置を提供する。【解決手段】成膜用原料ガスを高周波電力及び直流電力の印加によりプラズマ化し、この際、この直流電力を被成膜物品Sを設置した電極2に印加するようにして被成膜物品S上に膜形成するプラズマCVD法及び装置。

Claim (excerpt)：

成膜用原料ガスを電力印加によりプラズマ化し、該プラズマのもとで被成膜物品上に膜形成するプラズマCVD法において、前記原料ガスのプラズマ化を高周波電力及び直流電力を印加することで行い、該直流電力を被成膜物品を設置した電極に印加することを特徴とするプラズマCVD法。

IPC (5)：

C23C 16/50 , H01L 21/205 , H01L 21/285 , H01L 21/31 , H05H 1/46

FI (6)：

C23C 16/50 , H01L 21/205 , H01L 21/285 C , H01L 21/31 C , H05H 1/46 L , H05H 1/46 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

薄膜形成法及びその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-155740 Applicant：三菱電機株式会社
特開平4-041672
特開平3-240959

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