薄膜形成装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大岩増雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996015575
Publication number (International publication number)：1997213637
Application date： Jan. 31, 1996
Publication date： Aug. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】成膜処理前には、薄膜形成装置内に形成された付着膜や反応副生成物による付着物を、当該薄膜形成装置を分解してメンテナンスすることなく効率的に除去し、また成膜処理時には、反応室1内壁上への反応副生成物の付着を抑制することで、製造するデバイスの特性劣化或いは不良品発生をなくして製造歩留りを向上させるような薄膜形成装置を得ることを目的とする。【解決手段】この発明に係る薄膜形成装置は、基板9を成膜処理する反応室1と、この反応室1に設けられ反応室1に旋回流40が生じるようにガスを供給するガス供給口20と、反応室1に設けられガス供給口20から導入されるガスを排出する排出口31とを備えたものである。

Claim (excerpt)：

基板を成膜処理する反応室と、前記反応室に設けられこの反応室に旋回流が生じるようにガスを供給するガス供給口と、前記反応室に設けられ前記ガス供給口から導入されるガスを排出する排出口とを備えたことを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (4)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 , H01L 21/285 , H01L 21/31

FI (5)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 J , C23C 16/44 D , H01L 21/285 C , H01L 21/31 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

特開昭51-083777
特開昭64-081309
特開平2-081433

Show all

Return to Previous Page