成膜方法及び成膜装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：光石俊郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001093500
Publication number (International publication number)：2002289616
Application date： Mar. 28, 2001
Publication date： Oct. 04, 2002
Summary：

【要約】【課題】炭窒化ホウ素膜を成膜できるようにする。【解決手段】成膜室2内にプラズマ10を生成し、成膜室2内で窒素ガス11を主に励起した後に水素ガス希釈のジボランガス13、及び巻線状炭素ヒータ14a の加熱制御で得られる蒸発炭素と混合させて反応させ、基板4に炭窒化ホウ素膜15を成膜し、耐吸湿性に優れ、機械的・化学的耐性に優れ、熱伝導性の高い比誘電率κである低比誘電率の炭窒化ホウ素膜15を、膜の種類によらず密着性よく安定して、しかも、均一大面積に高速に成膜するを高速に成膜する。

Claim (excerpt)：

成膜室内にプラズマを生成し、成膜室内で窒素ガスを主に励起した後に水素ガス希釈のジボランガス、及び蒸発炭素と混合させて反応させ、基板に炭窒化ホウ素膜を成膜することを特徴とする成膜方法。

IPC (4)：

H01L 21/318 , C23C 16/38 , H01L 21/31 , H01L 21/768

FI (4)：

H01L 21/318 B , C23C 16/38 , H01L 21/31 C , H01L 21/90 K

F-Term (49)：

4K030AA01 , 4K030AA03 , 4K030AA07 , 4K030AA09 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA41 , 4K030BA49 , 4K030FA03 , 4K030JA05 , 4K030JA16 , 4K030JA18 , 5F033RR21 , 5F033RR25 , 5F033RR29 , 5F033SS01 , 5F033SS04 , 5F033SS15 , 5F033SS21 , 5F033TT01 , 5F033XX13 , 5F045AA08 , 5F045AB31 , 5F045AC03 , 5F045AC09 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045BB16 , 5F045CB05 , 5F045DC63 , 5F045DP04 , 5F045DQ10 , 5F045EB02 , 5F045EC09 , 5F045EE12 , 5F045EF08 , 5F045EH02 , 5F045EH11 , 5F045EH20 , 5F058BA20 , 5F058BC09 , 5F058BC10 , 5F058BC20 , 5F058BF07 , 5F058BF22 , 5F058BF24 , 5F058BF25 , 5F058BF37

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

特開平2-054770
特開昭64-017867
特開平4-099049

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