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J-GLOBAL ID：200903035697758716

磁気抵抗効果素子及び磁気ヘッド

Inventor：
シビア ラシド

About シビア ラシド

, 
佐藤 勇武

About 佐藤 勇武


Applicant, Patent owner：
TDK株式会社

About TDK株式会社


Agent (1)： 吉村 俊一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003427975
Publication number (International publication number)：2005191101
Application date： Dec. 24, 2003
Publication date： Jul. 14, 2005
Summary：
【課題】 実現的なコストで製造することができる単純な素子構造を有すると共により高い磁気抵抗変化率を有する磁気抵抗効果素子、及びそうした磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッドを提供する。【解決手段】 第1の強磁性層11である自由層1と、第2の強磁性層21である固定層2と、自由層1と固定層2との間に設けられた1又は2以上のナノ接合部3とを有し、そのナノ接合部3が、酸素、窒素、硫黄及び塩素の群から選ばれる1又は2以上の非金属を含むことにより、上記課題を解決した。このとき、ナノ接合部3を構成する材料が、Fe、Ni、Co、NiFe、CoFe及びCoFeNiから選ばれる強磁性金属、又は、NiFeSb、NiMnSb、PtMnSb及びMnSbから選ばれる半金属であることが好ましい。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
第1の強磁性層である自由層と、第2の強磁性層である固定層と、前記自由層と前記固定層との間に設けられた1又は2以上のナノ接合部とを有し、当該ナノ接合部が、酸素、窒素、硫黄及び塩素の群から選ばれる1又は2以上の非金属を含むことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (5)：
H01L43/08 ,  G11B5/39 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01L43/10
FI (5)：
H01L43/08 Z ,  G11B5/39 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01L43/10
F-Term (7)：
5D034BA03 ,  5D034BA15 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (5)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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