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J-GLOBAL ID：200903035713022946
紫外線用フォトディテクタ、およびその製造方法
Inventor：
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,
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Applicant, Patent owner：
,
Agent (2)：
赤澤 日出夫
, ▲橋▼場 満枝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007301234
Publication number (International publication number)：2009130012
Application date： Nov. 21, 2007
Publication date： Jun. 11, 2009
Summary：
【課題】耐久性に優れ、薄膜成長が不要であり、低コストな紫外線用フォトディテクタを提供する。【解決手段】酸化ガリウム単結晶基板と、酸化ガリウム単結晶基板の表面に形成され、受光面を有するとともに前記酸化ガリウム単結晶基板とショットキー接触をなす第1の電極と、酸化ガリウム単結晶基板の裏面に形成され、前記酸化ガリウム単結晶基板とオーミック接触をなし、受光面で受ける紫外線に応じて前記第1の電極との間で前記酸化ガリウム単結晶基板を介して電流が流れる第2の電極とを備える。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
酸化ガリウム単結晶基板と、
前記酸化ガリウム単結晶基板の表面に形成され、受光面を有するとともに前記酸化ガリウム単結晶基板とショットキー接触をなす第1の電極と、
前記酸化ガリウム単結晶基板の裏面に形成され、前記酸化ガリウム単結晶基板とオーミック接触をなし、前記受光面で受ける紫外線に応じて前記第1の電極との間で前記酸化ガリウム単結晶基板を介して電流が流れる第2の電極と
を備える紫外線用フォトディテクタ。
IPC (2)：
FI (2)：
F-Term (12)：
2G065AA04
, 2G065AB05
, 2G065BA02
, 2G065DA20
, 5F049MA05
, 5F049MB01
, 5F049NA18
, 5F049NA20
, 5F049NB10
, 5F049QA04
, 5F049SE05
, 5F049WA05
Cited by examiner (2)
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特開昭62-115391
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光導電素子
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平10-348261
Applicant：三菱電線工業株式会社, 株式会社ニコン
Article cited by the Patent：
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