薄膜形成方法および薄膜形成装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：木村高久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995267076
Publication number (International publication number)：1996181076
Application date： Oct. 16, 1995
Publication date： Jul. 12, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】高速でかつ高品質の原子層成長層を得るエピタキシャル成長法とこれを実施するための気相成長装置を提供する。【解決手段】反応炉1内に配設されたガス流路11,13に、別々の元素を含む原料ガスが夫々供給排出され、ガス流が形成される。又これらガス流の方向と平行で流路11,13夫々の1つの内壁と同一平面上で、基板3が移動可能に構成されており、基板3表面を流路11に導き、それにガス流を接触させ、その元素を吸着させる第1の工程と、続いて、基板3表面を流路13に導き、それに平行にガス流を接触させ、前記の元素と反応させ、原子層薄膜を生成する第2の工程とを含み、化学的気相成長法により原子層成長を行う。

Claim (excerpt)：

原子層エピタキシャル成長法において、反応炉内に配設された第1および第2のガス流路に、第1の元素を含む第1の原料ガスと、第2の元素を含む第2の原料ガスとが、それぞれ供給排出され、第1および第2のガス流路に沿って、第1および第2のガス流が形成されるとともに、前記第1および第2のガス流の方向と平行であって、かつ前記第1および第2の流路それぞれの少なくとも1つの内壁と同一平面上で、基板が移動可能となるように構成されており、前記基板表面を前記第1のガス流路の内壁に導き、前記基板表面に平行に第1のガス流を接触させ、少なくとも第1の元素を吸着させる第1の工程と、続いて、前記基板表面を前記第2のガス流路の内壁に導き、前記基板表面に平行に第2のガス流を接触させ、前記第1の元素と反応させ、原子層薄膜を生成する第2の工程とを含み、化学的気相成長法により原子層成長を行うようにしたことを特徴とする薄膜形成方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (18)

特開平2-074029
特開昭62-167291
特開昭63-226917

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