ドライエッチング装置用部品

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中島淳 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997203420
Publication number (International publication number)：1998101432
Application date： Jul. 29, 1997
Publication date： Apr. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】耐プラズマ性に優れ、汚染性の少ないドライエッチング装置用部品を提供する。【解決手段】密度が2.9g/cm3 以上であり、且つ炭化ケイ素粉末と非金属系焼結助剤とが均質に混合された混合物を焼結することにより得られた炭化ケイ素焼結体を用いる。ここで、炭化ケイ素焼結体が前記混合物を非酸化雰囲気下でホットプレスすることにより得られたものであること、炭化ケイ素粉末が、液状のケイ素化合物を含むケイ素源と、加熱により炭素を生成する液状の有機化合物を含む炭素源と、重合又は架橋触媒とを混合して得られた混合物を固化して固形物を得る固化工程と、得られた固形物を非酸化性雰囲気下で加熱炭化した後、さらに非酸化性雰囲気で焼成する焼成工程とを含む製造方法により得られたものであること、炭化ケイ素焼結体に含まれる不純物元素の総含有量が1ppm以下であることが好ましい。

Claim (excerpt)：

密度が2.9g/cm3 以上であり、且つ炭化ケイ素粉末と非金属系焼結助剤とが均質に混合された混合物を焼結することにより得られた炭化ケイ素焼結体で形成されたことを特徴とするドライエッチング装置用部品。

IPC (3)：

C04B 35/573 , C04B 35/626 , H01L 21/3065

FI (3)：

C04B 35/56 101 V , C04B 35/56 101 Q , H01L 21/302 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開昭62-056368
特開平4-130061
半導体製造装置および半導体ウエハの処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-312832 Applicant：株式会社日立製作所

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