炭化ケイ素単結晶製造用高純度炭化ケイ素粉体の製造方法及び単結晶

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中島淳 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995241856
Publication number (International publication number)：1997048605
Application date： Sep. 20, 1995
Publication date： Feb. 18, 1997
Summary：

【要約】【課題】結晶欠陥の数が少ない優れた炭化ケイ素単結晶を製造する原料としての、不純物含有量が0.5ppm以下で、好適な粒径を有する炭化ケイ素粉体の製造方法を提供する。【解決手段】高純度テトラエトキシシラン等をケイ素源とし、ノボラック型フェノール樹脂等を炭素源とし、これらの混合物を非酸化性雰囲気下において加熱焼成して炭化ケイ素粉体を得る炭化ケイ素生成工程と、得られた炭化ケイ素粉体を、1700°C以上2000°C未満の温度に保持し、該温度の保持中に、2000°C〜2100°Cの温度において5〜20分間にわたり加熱する処理を少なくとも1回行う後処理工程とを含み、平均粒径が10μm〜500μmで、且つ、各不純物元素の含有量が0.5ppm以下である炭化ケイ素粉体を得ることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

高純度のテトラアルコキシシラン、テトラアルコキシシラン重合体、酸化ケイ素から選択される1種以上をケイ素源とし、酸素を分子内に含有し、加熱により炭素を残留する高純度有機化合物を炭素源とし、これらを均質に混合して得られた混合物を非酸化性雰囲気下において加熱焼成して炭化ケイ素粉体を得る炭化ケイ素生成工程と、得られた炭化ケイ素粉体を、1700°C以上2000°C未満の温度に保持し、該温度の保持中に、2000°C〜2100°Cの温度において5〜20分間にわたり加熱する処理を少なくとも1回行う後処理工程とを含み、前記2工程を行うことにより、平均粒径が10μm〜500μmで、且つ、各不純物元素の含有量が0.5ppm以下である炭化ケイ素粉体を得ること、を特徴とする炭化ケイ素単結晶製造用高純度炭化ケイ素粉体の製造方法。

IPC (3)：

C01B 31/36 , C30B 23/00 , C30B 29/36

FI (3)：

C01B 31/36 A , C30B 23/00 , C30B 29/36 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

炭化珪素単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-104355 Applicant：シャープ株式会社
高純度β型炭化ケイ素粉末の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-332983 Applicant：株式会社ブリヂストン
半導体治具用炭化珪素粉末の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-178389 Applicant：住友金属工業株式会社, 株式会社ブリヂストン

Return to Previous Page