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J-GLOBAL ID：200903035745085443

歪検出センサ

Inventor： 鵜飼 征一 ,  飛田 朋之
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 春日 讓
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996321793
Publication number (International publication number)：1998160610
Application date： Dec. 02, 1996
Publication date： Jun. 19, 1998
Summary：

【要約】【課題】ピエゾ抵抗素子などの感歪素子から構成されるセンサにおいて、経時変化のない安定した出力が得ることができ、圧力等の検出精度の向上化が可能な歪検出センサを実現する。【解決手段】感歪抵抗素子3a〜3d、ゲージ抵抗素子4a〜4d、温度抵抗素子5は絶縁膜を介して純アルミニュウム又はアルミニュウム-シリコンのシールド膜6a〜6d、7a〜7d、8で保護されている。シールド膜6a〜6d、7a〜7d、8は、これらと同等の材質からなるシールドネットワーク9で基板1上で電気的に接続されている。シールドネットワーク9は8角形のダイアフラム2の外周側であって、配線14の内周側で配線14に接触しない領域に8角形状形成されシールド膜6a〜6dを電気的に接続し、シールド膜6aと7a、6bと7b、6cと7c、6dと7dを、それぞれ互いに接続する。さらに、シールド膜8とシールド膜7bとをシールドネットワーク9が接続する。

Claim (excerpt)：

一つの基板上に複数の感歪素子が形成され、これら感歪素子のそれぞれの上面に絶縁膜が形成され、かつ、それぞれの絶縁膜の上面に導電性の薄膜が形成された歪検出センサにおいて、上記複数の感歪素子のそれぞれの上面に形成された導電性薄膜は、導電性の薄膜であるシールドネットワークにより互いに連結されていることを特徴とする歪検出センサ。

IPC (3)：

G01L 9/04 101 ,  G01B 7/16 ,  G01L 1/22

FI (3)：

G01L 9/04 101 ,  G01L 1/22 M ,  G01B 7/18 G

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 物理量検出センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-249042   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開昭58-197780
  
• 特開昭62-009247