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J-GLOBAL ID：200903035754917796

化合物薄膜成膜方法およびこの方法を実施する装置

Inventor： 西本 圭司 ,  伊藤 和彦 ,  潟岡 泉
Applicant, Patent owner： 日本航空電子工業株式会社
Agent (1)： 草野 卓 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996290437
Publication number (International publication number)：1998130826
Application date： Oct. 31, 1996
Publication date： May. 19, 1998
Summary：

【要約】【課題】 化合物薄膜を成膜するに際して化合物薄膜を構成する元素のイオンビームを使用し、従来高温加熱により成膜されていた化合物薄膜を500°C以下の比較的低温において成膜する化合物薄膜成膜方法およびこの方法を実施する装置を提供する。【解決手段】 化合物構成元素の内の一方の金属のイオンビームを化合物構成元素の内の他方より成る基板に照射して化合物薄膜を成膜することを特徴とする化合物薄膜成膜方法およびこの方法を実施する装置。

Claim (excerpt)：

化合物構成元素の内の一方の金属のイオンビームを化合物構成元素の内の他方より成る基板に照射して化合物薄膜を成膜することを特徴とする化合物薄膜成膜方法。

IPC (2)：

C23C 14/32 ,  H01L 21/203

FI (2)：

C23C 14/32 F ,  H01L 21/203 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 特開昭62-040364
  
• 特開昭61-238954
  
• 特開昭62-018023
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-321556   Applicant：日本電気株式会社
• 特開昭62-040364
  
• 特開昭61-238954
  
• 特開昭62-018023