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J-GLOBAL ID：200903055755489047

半導体装置の製造方法

Inventor： ▲浜▼田 耕治
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995321556
Publication number (International publication number)：1997162396
Application date： Dec. 11, 1995
Publication date： Jun. 20, 1997
Summary：

【要約】【課題】 不純物の増速拡散が抑制されて浅い拡散層が形成され、かつ接合特性が良好で、MOSFET型素子の微細化が可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板の表面に、Tiイオン19aを注入して非晶質層17aとなる金属イオン注入領域を形成する工程と、金属イオン注入領域及び該注入領域と半導体基板との境界近傍に、p型キャリアとなる不純物BF2 19bを導入する工程と、不純物導入後、700°C以下の温度で熱処理を行い金属イオン注入領域に金属シリサイド化反応層17cを形成する工程と、金属シリサイド化反応層形成後に、700°C以上の熱処理を行って注入された不純物を拡散させ、p型拡散層18のp/n接合境界を金属シリサイドと半導体基板との界面よりも深い位置に形成する工程を有する。

Claim (excerpt)：

チャネル絶縁ゲート電界効果トランジスタを備えた半導体装置の製造方法において、素子分離構造、ゲート絶縁膜、ゲート電極及び電極保護用サイドウオールの形成された半導体基板の表面に、金属イオンを注入して非晶質層となる金属イオン注入領域を形成する工程と、前記金属イオン注入領域及び該注入領域と半導体基板との境界近傍に、p型またはn型のキャリアとなる不純物を導入する工程と、不純物導入後、700°C以下の温度で熱処理を行い前記金属イオン注入領域に金属シリサイド層を形成する工程と、前記金属シリサイド層形成後に、700°C以上の熱処理を行って注入された不純物を拡散させ、拡散層のp/n接合境界を金属シリサイドと半導体基板との界面よりも深い位置に形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/28 301

FI (5)：

H01L 29/78 301 P ,  H01L 21/28 301 T ,  H01L 21/265 L ,  H01L 21/265 A ,  H01L 29/78 301 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-221009   Applicant：新日本製鐵株式会社
• 特開昭63-209123
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-049034   Applicant：日本電気株式会社