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J-GLOBAL ID：200903035756236788

超電導デバイス

Inventor： 島岡 一博 ,  高橋 和彦 ,  善里 順信
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 鳥居 洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992304873
Publication number (International publication number)：1994132575
Application date： Oct. 16, 1992
Publication date： May. 13, 1994
Summary：

【要約】【目的】 この発明は、準粒子の注入特性を改善すると共に作製が容易にして、且つ素子の集積度を向上させることが可能な超電導デバイスを提供することをその目的とする。【構成】 この発明の超電導体デバイスは、STO基板1の(110)面上に(117)配向させたBSCCO酸化物超電導体2を設け、この(117)配向面上に絶縁層3を介してエミッタ電極4を設けてなる。

Claim (excerpt)：

基板上に(11n)(ここで、n=0,1,2,...)配向させた層状構造酸化物超電導体を設け、この(11n)配向面上に絶縁層を介して超電導体または常電導体を設けてなる超電導体デバイス。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-346277
  
• 酸化物超電導薄膜およびその製造方法ならびに超電導トンネル接合およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-305124   Applicant：株式会社東芝
• 特開平4-163974
  
• 特開平4-273179