半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高月亨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995040581
Publication number (International publication number)：1996236506
Application date： Feb. 28, 1995
Publication date： Sep. 13, 1996
Summary：

【要約】【目的】加工の対象となる半導体集積回路パターンの最小寸法が従来の光リソグラフィ技術で用いられてきた光の波長より短くなった場合等、半導体装置の微細な加工が要せられるときも、この微細加工を必ずしもより高度なリソグラフィ技術などを用いる必要なく、簡易な構成で形成できる技術を提供する。【構成】被加工下地2(絶縁膜等)上にパターン状にレジスト3を形成し、該パターン状のレジストをマスクとして下地の加工を行う工程を有する半導体装置の製造方法において、レジストには堆積物が付着し、下地には堆積物が付着しないガス系を用いて堆積を行う。

Claim (excerpt)：

被加工下地上にパターン状にレジストを形成し、該パターン状のレジストをマスクとして下地の加工を行う工程を有する半導体装置の製造方法において、前記レジストには堆積物が付着し、前記下地には堆積物が付着しないガス系を用いて堆積を行う工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 , H01L 21/205 , H01L 21/027

FI (3)：

H01L 21/302 J , H01L 21/205 , H01L 21/30 561

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

特開平4-213821
テーパエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-188115 Applicant：川崎製鉄株式会社

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