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J-GLOBAL ID：200903035787784961

磁気ランダムアクセスメモリ、磁気ランダムアクセスメモリへのアクセス方法および磁気ランダムアクセスメモリの製造方法

Inventor：
永井 享浩

About 永井 享浩


Applicant, Patent owner：
三菱電機株式会社

About 三菱電機株式会社


Agent (1)： 青山 葆 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000181414
Publication number (International publication number)：2001357666
Application date： Jun. 16, 2000
Publication date： Dec. 26, 2001
Summary：
【要約】【課題】 単一のトランジスタに複数の磁性記憶素子を積層することにより、必要な構成素子数が少ない、メモリの集積度を大幅に向上した磁気ランダムアクセスメモリ等を提供する。【解決手段】 各々が磁気的に情報を記憶する複数の磁性記憶素子と、複数の磁性記憶素子の各々に接続された複数のビット線と、複数の磁性記憶素子の各々の近傍に対応して配置され、その各々に磁界を印加して情報を書き込むために利用される複数の書き込み用ワード線と、第1の端子と第2の端子とを備えたスイッチであって、第1の端子は、第2の端子に電流を流すか否かを決定するために利用される単一の読み込み用ワード線に接続され、第2の端子は、複数の磁性記憶素子の各々に接続されたスイッチとを備えた、磁気ランダムアクセスメモリ等を提供する。
Claim (excerpt)：
各々が磁気的に情報を記憶する複数の磁性記憶素子と、前記複数の磁性記憶素子の各々に接続された複数のビット線と、前記複数の磁性記憶素子の各々の近傍に対応して配置され、その各々に磁界を印加して前記情報を書き込むために利用される複数の書き込み用ワード線と、第1の端子と第2の端子とを備えたスイッチであって、前記第1の端子は、前記第2の端子に電流を流すか否かを決定するために利用される単一の読み込み用ワード線に接続され、前記第2の端子は、前記複数の磁性記憶素子の各々に接続されたスイッチとを備えた、磁気ランダムアクセスメモリ。
IPC (4)：
G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08
FI (4)：
G11C 11/14 Z ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447
F-Term (8)：
5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083GA10 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083MA20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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