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J-GLOBAL ID：200903063474109396
磁気メモリ装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000344274
Publication number (International publication number)：2001236781
Application date： Nov. 10, 2000
Publication date： Aug. 31, 2001
Summary：
【要約】【課題】 読み出し時のセル出力電圧を大きくすることができ、且つ読み出し時の消費電力の増大を招くことなく信号-雑音比を改善することができ、低消費電力と高速読み出し性を実現する。【解決手段】 磁化方向が固定された固着層と外部磁界によって磁化方向が変化する記録層を積層し、二重以上のトンネル接合を構成したTMR素子を複数個備えた磁気メモリ装置であって、情報の記録単位であるメモリセル201は、抵抗値,磁気抵抗変化率が等しい二つのTMR素子11,21から構成され、TMR素子11,21の積層方向の一端は別のデータ線DL,/DLに接続され、他端は同一の選択トランジスタ31を介して同一のビット線BLに接続されている。情報の記録はTMR素子11,21の記録層の磁化方向が常に反平行に保たれるように行い、情報の読み出しはデータ線DL,/DLに流れる電流差を検出して行う。
Claim (excerpt)：
磁化方向が固定された固着層と、外部磁界によって磁化方向が変化する記録層とを積層し、単一若しくは二重以上のトンネル接合を構成したトンネル接合部を複数個備えた磁気メモリ装置であって、情報の記録単位であるメモリセルは第1及び第2のトンネル接合部を含み、第1のトンネル接合部の積層方向の一端と第2のトンネル接合部の積層方向の一端はそれぞれ別のデータ線に接続され、第1のトンネル接合部の積層方向の他端と第2のトンネル接合部の積層方向の他端は同一のセル選択用半導体素子を介してビット線に接続されていることを特徴とする磁気メモリ装置。
IPC (4)：
G11C 11/15
, G11C 11/14
, H01L 27/105
, H01L 43/08
G11C 11/15
, G11C 11/14 A
, H01L 43/08 Z
, H01L 27/10 447
Cited by applicant (3)
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不揮発性半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平3-259967
Applicant：日本電気株式会社
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不揮発性半導体記憶装置及び情報記録方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2000-199590
Applicant：日本電気株式会社
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磁気メモリ装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2000-075168
Applicant：株式会社東芝
Cited by examiner (3)
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不揮発性半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平3-259967
Applicant：日本電気株式会社
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不揮発性半導体記憶装置及び情報記録方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2000-199590
Applicant：日本電気株式会社
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磁気メモリ装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2000-075168
Applicant：株式会社東芝
Article cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (1)
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