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J-GLOBAL ID：200903035817782950

絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ及びその製造方法

Inventor：
松原 寿樹

About 松原 寿樹

, 
栗山 昌弘

About 栗山 昌弘


Applicant, Patent owner：
新電元工業株式会社

About 新電元工業株式会社


Agent (1)： 松尾 誠剛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001329595
Publication number (International publication number)：2003133556
Application date： Oct. 26, 2001
Publication date： May. 09, 2003
Summary：
【要約】【課題】 オン抵抗を低く保ちながらさらに高速スイッチング特性の改善されたIGBTを提供する。【解決手段】 N-型の半導体基体の一方の表面に、この半導体基体の厚さ方向に流れる電流のスイッチングを行う多数の絶縁ゲートトランジスタが形成された能動領域と、非能動領域と、を有する絶縁ゲート型バイポーラトランジスタであって、前記半導体基体の他方の表面に、前記能動領域に対応した領域に形成され前記絶縁ゲートトランジスタのオン時に前記半導体基体中にホールを注入して伝導度変調を起こさせるためのホール多量注入構造と、前記非能動領域に対応した領域に形成され前記ホール多量注入構造と比較して少量のホールしか注入されないホール少量注入構造と、を有することを特徴とする絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ。
Claim (excerpt)：
N-型の半導体基体の一方の表面に、この半導体基体の厚さ方向に流れる電流のスイッチングを行う多数の絶縁ゲートトランジスタが形成された能動領域と、非能動領域と、を有する絶縁ゲート型バイポーラトランジスタであって、前記半導体基体の他方の表面に、前記能動領域に対応した領域に形成され前記絶縁ゲートトランジスタのオン時に前記半導体基体中にホールを注入して伝導度変調を起こさせるためのホール多量注入構造と、前記非能動領域に対応した領域に形成され前記ホール多量注入構造と比較して少量のホールしか注入されないホール少量注入構造と、を有することを特徴とする絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ。
IPC (3)：
H01L 29/78 655 ,  H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78
FI (4)：
H01L 29/78 655 D ,  H01L 29/78 652 L ,  H01L 29/78 652 P ,  H01L 29/78 655 G
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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