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J-GLOBAL ID：200903091292459565

高破壊耐量電界効果型トランジスタ

Inventor： 中村 秀幸 ,  宮腰 宣樹
Applicant, Patent owner： 新電元工業株式会社
Agent (1)： 石島 茂男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999177950
Publication number (International publication number)：2001007322
Application date： Jun. 24, 1999
Publication date： Jan. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】破壊耐量の高い電界効果型トランジスタを提供する。【解決手段】固定電位拡散層16で能動領域7aを取り囲み、能動領域7a内にチャネル領域15を形成する。また、固定電位拡散層16の外部にゲートパッド35を配置する。能動領域7aの周辺部分に注入された少数キャリアは固定電位拡散層16に流れ込み、集中による破壊が起こらない。固定電位拡散層16の外側を複数本のガードリング拡散層171〜174で囲い、ゲートパッド35の下方位置に形成したパッド拡散層18を最内周のガードリング拡散層171に接続させる。ゲートパッド35の下に空乏層が広がりやすいので降伏電圧が高くなる。

Claim (excerpt)：

ドレイン層と、前記ドレイン層内に形成され、前記ドレイン層とは異なる導電型のリング状の固定電位拡散層と、前記ドレイン層の前記固定電位拡散層の内側の領域で構成される能動領域内に形成され、前記ドレイン層とは異なる導電型のベース拡散層と、前記ベース拡散層に接続され、前記ベース拡散層と同じ導電型のチャネル拡散層と、前記ベース拡散層と前記チャネル拡散層内に形成され、該ベース拡散層とは異なる導電型のソース拡散層と、前記ソース拡散層の端部と前記チャネル拡散層の端部の間の前記チャネル拡散層で構成されるチャネル領域上に形成されたゲート酸化膜と、前記ゲート酸化膜上に形成されたゲート電極膜と、前記ソース拡散層と前記ベース拡散層に接続されたソース電極膜と、前記ドレイン層に接続されたドレイン電極膜とを有し、前記固定電位拡散層は前記ソース電極膜に接続された電界効果型トランジスタ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭61-285764
  
• 縦型電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-075918   Applicant：日本電気株式会社
• 特開平3-156977