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J-GLOBAL ID：200903035952351196

電子放出源及びその製造方法

Inventor： 上村 佐四郎 ,  長廻 武志 ,  余谷 純子 ,  村上 裕彦
Applicant, Patent owner： 伊勢電子工業株式会社 ,  日本真空技術株式会社
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000037672
Publication number (International publication number)：2001229806
Application date： Feb. 16, 2000
Publication date： Aug. 24, 2001
Summary：

【要約】【課題】 電子放出の均一性を向上した電界放出型冷陰極電子源とその製造方法を提供する。【解決手段】 この発明の電子放出源10は、ナノチューブ状繊維の生成核となる金属を主成分とする材料で構成され多数の貫通孔13を有する基板11と、基板11の表面及び貫通孔壁14に配置されたナノチューブ状繊維からなる被膜12とを備えている。この電子放出源10は、鉄又は鉄を含む合金で構成され、多数の貫通孔13を有する基板11を、炭素化合物からなるガスが所定の濃度で含まれる材料ガス雰囲気中で加熱して所定の温度に保持させ、炭素からなるナノチューブ状繊維を基板11の表面及び貫通孔壁14からカールした状態に成長させて基板11の表面及び貫通孔壁14を被覆する被膜12を形成して製造する。

Claim (excerpt)：

ナノチューブ状繊維の生成核となる金属を主成分とする材料で構成され、多数の貫通孔を有する基板と、前記基板の表面及び貫通孔壁に配置されたナノチューブ状繊維からなる被膜とを備えた電子放出源。

IPC (5)：

H01J 1/304 ,  H01J 9/02 ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12 ,  C01B 31/02 101

FI (5)：

H01J 9/02 B ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12 C ,  C01B 31/02 101 F ,  H01J 1/30 F

F-Term (13)：

4G046CA02 ,  4G046CB01 ,  4G046CB03 ,  4G046CC06 ,  5C031DD17 ,  5C031DD19 ,  5C036EE01 ,  5C036EE14 ,  5C036EF01 ,  5C036EF06 ,  5C036EF09 ,  5C036EG12 ,  5C036EH04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 炭素系超微細冷陰極及びその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-301259   Applicant：日本真空技術株式会社

Cited by examiner (1)

• 炭素系超微細冷陰極及びその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-301259   Applicant：日本真空技術株式会社