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J-GLOBAL ID:200903037149147400

炭素系超微細冷陰極及びその作製方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 北村 欣一 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998301259
Publication number (International publication number):2000057934
Application date: Oct. 22, 1998
Publication date: Feb. 25, 2000
Summary:
【要約】【課題】 非常に安価な基板を用いて、非常に簡単なプロセスで、高密度で微細な、また低電界で駆動できる炭素系冷陰極の提供。【解決手段】 電界印加プラズマCVD法により、基板表面上の所定の位置にカーボンナノチューブ又はアモルファスカーボンを直接堆積し、この堆積層を電子放出源とする炭素系超微細冷陰極を得る。
Claim (excerpt):
基板上の所定の電極形成位置に、該基板上に直接形成せしめたカーボンナノチューブ又はアモルファスカーボンを電子放出源として有することを特徴とする炭素系超微細冷陰極。
IPC (3):
H01J 1/304 ,  H01J 1/30 ,  H01J 9/02
FI (3):
H01J 1/30 F ,  H01J 1/30 A ,  H01J 9/02 B
F-Term (1):
5C035BB01
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (5)
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Article cited by the Patent:
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