炭素系超微細冷陰極及びその作製方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：北村欣一 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998301259
Publication number (International publication number)：2000057934
Application date： Oct. 22, 1998
Publication date： Feb. 25, 2000
Summary：

【要約】【課題】非常に安価な基板を用いて、非常に簡単なプロセスで、高密度で微細な、また低電界で駆動できる炭素系冷陰極の提供。【解決手段】電界印加プラズマCVD法により、基板表面上の所定の位置にカーボンナノチューブ又はアモルファスカーボンを直接堆積し、この堆積層を電子放出源とする炭素系超微細冷陰極を得る。

Claim (excerpt)：

基板上の所定の電極形成位置に、該基板上に直接形成せしめたカーボンナノチューブ又はアモルファスカーボンを電子放出源として有することを特徴とする炭素系超微細冷陰極。

IPC (3)：

H01J 1/304 , H01J 1/30 , H01J 9/02

FI (3)：

H01J 1/30 F , H01J 1/30 A , H01J 9/02 B

F-Term (1)：

5C035BB01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

電界放出型冷陰極装置、その製造方法及び真空マイクロ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-249096 Applicant：株式会社東芝
電子放出膜および方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-281404 Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド
電界放出型冷陰極の駆動方法および駆動装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-147454 Applicant：日本電気株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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