プラズマCVD装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：飯阪泰雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995148249
Publication number (International publication number)：1996319570
Application date： May. 22, 1995
Publication date： Dec. 03, 1996
Summary：

【要約】[目的] シャワープレートを容易に、かつ短時間で交換し得るプラズマCVD装置を提供すること。[構成] 真空チャンバ19の壁部材を兼ねる電極フランジ11の大気側に、エアシリンダ2を取り付け、そのピストンに直結され電極フランジ11を貫通して真空側のシャワープレート13に達する長さのロッド3の先端部にシャワープレート13のフック14を嵌合させる固定交換機構1を設ける。ロッド3によってシャワープレート13を電極フランジ11へ引き寄せて固定し、電極フランジ11から離隔させて交換する。

Claim (excerpt)：

真空チャンバ内に被処理体をセットし、プラズマ励起用の電極に取付けられた多数の開孔を有するシャワープレートを通して反応ガスを流し込み、プラズマを励起させて前記被処理体に薄膜を形成させるプラズマCVD装置において、大気側に前記反応ガスの導入パイプを備え真空側に前記シャワープレートが固定される前記電極部材の大気側に、前記シャワープレートを前記電極部材へ引き寄せて固定し、前記電極部材から離隔させて交換するシャワープレート固定交換機構が設けられていることを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (6)：

C23C 16/44 , C23C 16/50 , C23C 16/54 , H01L 21/205 , H01L 21/285 , H01L 21/31

FI (6)：

C23C 16/44 D , C23C 16/50 , C23C 16/54 , H01L 21/205 , H01L 21/285 C , H01L 21/31 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

半導体用製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-066069 Applicant：日本電気株式会社
プラズマCVD装置、およびプラズマCVDによる薄膜形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-137255 Applicant：日本真空技術株式会社

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