フォトマスクの作製方法、レジスト材料への電子線ビーム照射補正量の決定方法、並びにフォトマスク

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996178539
Publication number (International publication number)：1998010701
Application date： Jun. 19, 1996
Publication date： Jan. 16, 1998
Summary：

【要約】【課題】フォトマスクの作製に使用されるマスクパターンデータ量を増加させることなく、マスクパターンの密度(描画率)に起因して、ドライエッチング時、エッチングされたマスクパターンの寸法が所望の寸法からずれることを出来る限り無くし、所望寸法のマスクパターンを有するフォトマスクを作製し得る方法を提供する。【解決手段】フォトマスクの作製方法においては、ドライエッチング時、形成すべきマスクパターンの密度に起因してエッチングされたマスクパターンの寸法が所望の寸法からずれることを無くすべく、フォトマスク基板上に形成すべきマスクパターンの単位区画当たりの密度に基づき、レジスト材料に照射すべき電子線ビームの該単位区画当たりの照射補正量を決定し、該照射補正量に基づく照射量の電子線ビームにて所望の描画パターンをレジスト材料に描画する。

Claim (excerpt)：

フォトマスク基板上に形成された遮光膜若しくは半遮光膜上のレジスト材料に電子線ビームにて所望のパターンを描画した後、該レジスト材料を現像し、パターニングされたレジスト材料をエッチング用マスクとして遮光膜若しくは半遮光膜をドライエッチングし、遮光膜若しくは半遮光膜から成るマスクパターンをフォトマスク基板上に形成するフォトマスクの作製方法であって、ドライエッチング時、形成すべきマスクパターンの密度に起因してエッチングされたマスクパターンの寸法が所望の寸法からずれることを無くすべく、フォトマスク基板上に形成すべきマスクパターンの単位区画当たりの密度に基づき、レジスト材料に照射すべき電子線ビームの該単位区画当たりの照射補正量を決定し、該照射補正量に基づく照射量の電子線ビームにて所望の描画パターンをレジスト材料に描画することを特徴とするフォトマスクの作製方法。

IPC (3)：

G03F 1/08 , G03F 7/20 504 , H01L 21/027

FI (3)：

G03F 1/08 B , G03F 7/20 504 , H01L 21/30 541 J

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

特開昭59-139625
半導体装置用ガラスマスクおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-293074 Applicant：株式会社東芝
特開平3-036549

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Cited by examiner (2)

特開昭59-139625
半導体装置用ガラスマスクおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-293074 Applicant：株式会社東芝

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