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J-GLOBAL ID：200903033888112384

マスクパターン補正方法、パターン形成方法及びフォトマスク

Inventor：
河村 栄一

About 河村 栄一

, 
橋本 浩一

About 橋本 浩一


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 北野 好人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995125172
Publication number (International publication number)：1996321450
Application date： May. 24, 1995
Publication date： Dec. 03, 1996
Summary：
【要約】【目的】 パターン補正方法に係り、特に、光近接効果やエッチング疎密効果による寸法乖離を抑制するためのマスクパターン補正方法、パターン形成方法及びフォトマスクを提供する。【構成】 基板上にパターンを投影露光する際に用いるフォトマスクのマスクパターン補正方法において、フォトマスク上に、一定の距離を有して隣接する第1のマスクパターン及び第2のマスクパターンとを形成する際に、第1のマスクパターンと第2のマスクパターンとを基板上に露光する際に生ずるシフト量と、エッチングする際に生ずるシフト量とを用いてパターン補正データを作成し、第1のマスクパターンの辺を、第1のマスクパターンと第2のマスクパターンとの距離に応じた補正量に基づいて移動する。
Claim (excerpt)：
基板上にパターンを投影露光する際に用いるフォトマスクのマスクパターン補正方法において、前記フォトマスク上に、一定の距離を有して隣接する第1のマスクパターン及び第2のマスクパターンとを形成する際に、前記第1のマスクパターンと前記第2のマスクパターンとを前記基板上に露光する際に生ずるシフト量と、エッチングする際に生ずるシフト量とを用いてパターン補正データを作成し、前記第1のマスクパターンの辺を、前記第1のマスクパターンと前記第2のマスクパターンとの距離に応じた補正量に基づいて移動することを特徴とするマスクパターン補正方法。
IPC (2)：
H01L 21/027 ,  G03F 1/00
FI (3)：
H01L 21/30 502 P ,  G03F 1/00 W ,  H01L 21/30 502 W
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (12)
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Cited by examiner (7)
  • パターンマスクの作製方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-335872   Applicant：新潟沖電気株式会社, 沖電気工業株式会社
  • パターン作成方法、及びパターン作成システム
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-210892   Applicant：株式会社ニコン
  • 特開平2-189913
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