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J-GLOBAL ID：200903036020770660

ネガ型フォトレジスト材料、およびそれを用いたパターン形成方法

Inventor：
前田 勝美

About 前田 勝美

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岩佐 繁之

About 岩佐 繁之

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中野 嘉一郎

About 中野 嘉一郎

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長谷川 悦雄

About 長谷川 悦雄


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997162716
Publication number (International publication number)：1999015159
Application date： Jun. 19, 1997
Publication date： Jan. 22, 1999
Summary：
【要約】【課題】 波長が180〜220nmの露光光を用いたリソグラフィーに用いられる、透明性およびエッチング耐性に優れた高感度のネガ型フォトレジスト材料を提供する。【解決手段】 一般式(1)で表される重量平均分子量が1000〜500000の重合体および露光により酸を発生する光酸発生剤を含有するネガ型フォトレジスト材料。【化1】(上式において、R<SP>1</SP> 、R<SP>3</SP> 、R<SP>5</SP> は水素原子またはメチル基、R<SP>2</SP> は有橋環式炭化水素基を有する炭素数7〜18の2価の炭化水素基、R<SP>4</SP> はエポキシ基を有する炭化水素基、R<SP>6</SP> は水素原子または炭素数1〜12の炭化水素基を表す。また、x、y及びzはそれぞれx+y+z=1、0<x<1、0<y<1、0≦z<1を満たす任意の数である。)
Claim (excerpt)：
一般式(1)で表される重量平均分子量が1000〜500000の重合体および露光により酸を発生する光酸発生剤を少なくとも含有することを特徴とするネガ型フォトレジスト材料。【化1】(上式において、R<SP>1</SP> 、R<SP>3</SP> 、R<SP>5</SP> は水素原子またはメチル基、R<SP>2</SP> は有橋環式炭化水素基を有する炭素数7〜18の2価の炭化水素基、R<SP>4</SP> はエポキシ基を有する炭化水素基、R<SP>6</SP> は水素原子または炭素数1〜12の炭化水素基を表す。また、x、y及びzはそれぞれx+y+z=1、0<x<1、0<y<1、0≦z<1を満たす任意の数である。)
IPC (4)：
G03F 7/038 601 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/033 ,  H01L 21/027
FI (4)：
G03F 7/038 601 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/033 ,  H01L 21/30 502 R
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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