Pat

J-GLOBAL ID：200903036028230281

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 関川 信之
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 芝野 正雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003276022
Publication number (International publication number)：2005039116
Application date： Jul. 17, 2003
Publication date： Feb. 10, 2005
Summary：

【課題】既存の半導体製造プロセスを用いて製造可能なCSPを提供する。【解決手段】電極取り出し部Eが、半導体チップ10Aの第1の主面上に形成されたパッド電極22の一部を露出する開口部H1を有した第1のパッシベーション層P1と、その上に形成された第1の金属層M1と、第1の金属層M1上においてパッド電極22の一部を露出する開口部H2を有した第2のパッシベーション層P2と、その第1及び第2の開口部H1,H2を介してパッド電極22と接続されて第2のパッシベーション層P2の一部上に延在する第2の金属層M2と、その上に第2の金属層M2の一部を露出する開口部H3を有して形成された第3のパッシベーション層P3と、を有するものである。【選択図】 図3

Claim (excerpt)：

半導体チップの第1の主面上に形成されたパッシベーション層と、 前記パッシベーション層上の全面に形成された金属層と、 を少なくとも有することを特徴とする半導体装置。

IPC (1)：

H01L23/12

FI (1)：

H01L23/12 501C

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-291472   Applicant：三洋電機株式会社