Pat

J-GLOBAL ID：200903036046382366

薄膜トランジスタ

Inventor： 武田 勝利 ,  綾 洋一郎 ,  脇坂 健一郎
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (2)： 目次 誠 ,  宮▼崎▲ 主税
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003389846
Publication number (International publication number)：2005150635
Application date： Nov. 19, 2003
Publication date： Jun. 09, 2005
Summary：

【課題】 酸化亜鉛薄膜をチャネル層に用いた薄膜トランジスタにおいて、オン/オフ比及び電界効果移動度を高める。 【解決手段】 酸化亜鉛薄膜をチャネル層に用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化亜鉛薄膜からなるチャネル層の結晶面(002)の面間隔d(002)が、2.6130(Å)≦d(002)≦2.6180(Å)の範囲であることを特徴としており、好ましくは、ドレイン電流Isdの流れる方向(キャリアの移動方向)と前記チャネル層の結晶面(002)とが実質的に平行であることを特徴としている。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

酸化亜鉛薄膜をチャネル層に用いた薄膜トランジスタにおいて、 前記酸化亜鉛薄膜からなるチャネル層の結晶面(002)の面間隔d(002)が、2.6130(Å)≦d(002)≦2.6180(Å)の範囲であることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (1)：

H01L29/786

FI (1)：

H01L29/78 618B

F-Term (18)：

5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE44 ,  5F110FF03 ,  5F110FF32 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG17 ,  5F110GG24 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HK03 ,  5F110HK32

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 半導体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-082043   Applicant：科学技術振興事業団
• 半導体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-264885   Applicant：科学技術振興事業団