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J-GLOBAL ID：200903036049461364

熱電変換素子及び熱電変換モジュール並びに熱電変換モジュールの製造方法

Inventor： 豊田 丈紫 ,  中村 静夫 ,  滝本 幹夫 ,  木谷 直樹 ,  亀井 寛 ,  水越 裕治 ,  増井 芽
Applicant, Patent owner： 石川県 ,  ニッコー株式会社 ,  株式会社アクトリー
Agent (2)： 大家 邦久 ,  林 篤史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007109210
Publication number (International publication number)：2008270410
Application date： Apr. 18, 2007
Publication date： Nov. 06, 2008
Summary：

【課題】高い熱電変換効率を確保でき、低コストで熱的安定性、化学的耐久性にも優れた薄膜構造の熱電変換素子及び熱電変換モジュール、並びにそれらの製造方法を提供する。【解決手段】この熱電変換モジュールは、絶縁体(10)の上面に離隔して形成された複数個の第1の電極膜(11,12,13)と、この第1の電極膜の上面にp型とn型が交互に離隔して配置された複数個のp型及びn型熱電半導体素子膜(16,19)及び(17,18)と、この第1の電極膜の離隔位置をまたぐようにp型熱電半導体素子膜(19)とn型熱電半導体素子膜(18)とを接続する第2の電極膜(20)とを有し、端部に位置するp型及びn型熱電半導体素子膜(16,17)にそれぞれ端子電極が接続されている。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

熱電変換材料の粉末に結着材を混合してペースト化したものを電極上面に薄膜状に硬化させたことを特徴とする熱電変換素子。

IPC (4)：

H01L 35/34 ,  H01L 35/22 ,  H01L 35/32 ,  H02N 11/00

FI (4)：

H01L35/34 ,  H01L35/22 ,  H01L35/32 A ,  H02N11/00 A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 熱電変換素子の接合方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-224112   Applicant：三菱重工業株式会社
• 熱電変換素子及び熱電変換モジュール
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-336809   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
• 熱電半導体素子、熱電変換モジュールおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-025335   Applicant：横浜抵抗器株式会社, 株式会社コバヤシ
• 薄膜状熱電変換材料及びその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-071311   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所

Cited by examiner (4)

• 熱電モジュールの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-214792   Applicant：ヤマハ株式会社
• 熱電変換素子の電極接合構造、熱電変換素子の電極接合方法、熱電変換モジュール、及び熱電変換モジュールの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-164205   Applicant：松下電工株式会社
• 熱電半導体素子、熱電変換モジュールおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-025335   Applicant：横浜抵抗器株式会社, 株式会社コバヤシ
• 特開平3-270084